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ANNEALSYS

ANNEALSYS

フランス ANNEALSYS社はワールドワイドの研究所及び企業向けに高性能・高品質のさまざまな研究開発及び量産装置用の高速熱処理(RTP)装置と独自のダイレクトリキッドインジェクション方式による液体材料気化器と最適化されたチャンバーとを使用したDLI-CVD/DLI-ALD装置を提供しております。

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RTP装置 AS-One 100/150

RTP装置 AS-One 100/150

特長

【AS-One 100】
  • 最大100mm径基板対応
  • 最大温度: 1450℃(基板上部ランプ加熱式)
  • 最大昇温レート: 200℃/秒
  • 低温(1100℃)/高温(1450℃)パイロメーター
  • アニール処理後急速冷却機構
  • 大気・真空下プロセス対応
  • マスフローコントローラー:最大5
【AS-One 150】
  • 最大150mm径基板対応
  • 最大温度: 1300℃(基板上部ランプ加熱式)
  • 最大昇温レート: 150℃/秒
  • 低温(1100℃)/高温(1450℃)パイロメーター
  • アニール処理後急速冷却機構
  • 大気・真空下プロセス対応
  • ターボポンプ搭載可能
  • マスフローコントローラー:最大5

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RTP装置 AS-Premium

RTP装置 AS-Premium

特長

  • 最大156mm x 156mm基板対応
  • 最大温度: 1100℃(基板上部ランプ加熱式、4ゾーン)
    • 1300℃(基板上部ランプ加熱式、8ゾーン)
    • 1300℃(基板上下部ランプ加熱方式、6ゾーン)
  • 低温(1100℃)/高温(1300℃)パイロメーター
  • アニール処理後急速冷却機構(上部ランプ加熱式のみ)
  • 大気・真空下プロセス対応
  • ターボポンプ搭載可能
  • マスフローコントローラー:最大8
  • 真空又は大気搬送装置及びロードロック搭載可能

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RTP装置 AS-Master 200

RTP装置 AS-Master 200

特長

  • 最大200mm径基板対応(基板上部ランプ加熱式)
  • 最大温度: S20: 1150℃、4ゾーン
    • S20 HT: 1450℃、10ゾーン
    • 2000: 1250℃、10ゾーン
  • アニール処理後急速冷却機構
  • 大気・真空下プロセス対応
  • ターボポンプ搭載可能
  • マスフローコントローラー:最大8
  • 真空又は大気搬送装置及びロードロック搭載可能

DLI-CVD/DLI-ALD装置 MC-050

DLI-CVD/DLI-ALD装置 MC-050

特長

  • 最大200mm径基板対応(基板上部ランプ加熱式)
  • 最大温度: S20: 1150℃、4ゾーン
    • S20 HT: 1450℃、10ゾーン
    • 2000: 1250℃、10ゾーン
  • アニール処理後急速冷却機構
  • 大気・真空下プロセス対応
  • ターボポンプ搭載可能
  • マスフローコントローラー:最大8
  • 真空又は大気搬送装置及びロードロック搭載可能

DLI-CVD/DLI-ALD装置 MC-100/MC-200

DLI-CVD/DLI-ALD装置 MC-100/MC-200

特長

  • 最大200mm径基板対応
  • 最大成膜温度: 800℃
  • 最大4x DLI気化器を搭載可能
  • マスフローコントローラー:最大8
  • スチールステンレス製チャンバー
  • ターボポンプ搭載可能
  • マスフローコントローラー:最大8(MC-100), 6(MC-200)
  • チャンバー加熱機構(最大300℃)

提携企業一覧

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