ドイツ scia Systems社は高性能のイオンビームとプラズマ技術に基づいた最先端且つ高精度の表面処理装置を提供しております。それらの技術を適用したコーティング、エッチング、プラズマクリーニング装置は、MEMSやマイクロエレクトロニクス、精密光学用途としてワールドワイドで使用されております。それそれの装置はモジュール式に設計され、開発用及び量産用装置用として構成されております。また、シリコンベースのウエハ基板やキャリア上の小サンプルの基板まで対応しております。
イオンビームミリング装置 scia Mill 150/200
特長
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プロセスイオンビームエッチング/ミリング(IBE/IBM)
反応性イオンビームエッチング(RIBE)
ケミカルアシストイオンビームエッチング(CAIBE) -
特徴
最大150又は200mmウエハ基板対応
マイクロウエーブECRソース(218mm径)
RFタイプソース(350mm径)
エッチング角度及びステージ傾斜・回転機構 -
アプリケーション
MRAM, GMT, TMR等エッチング
MEMS (Au, Ru, Ta)等エッチング
スムージング、マイクロラフネス低減
イオンビームトリミング装置 scia Trim 200
特長
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プロセスイオンビームトリミング(IBT)
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特徴最大200mmウエハ基板対応
歩留改善
高精度・高スループットによる膜厚エッチング制御
メカニカルクランプ又は静電チャック対応
サブナノメーターエッチング機構 -
アプリケーションSAW, BAWフィルター向け周波数又は膜厚制御
SOI, クオーツ, LT/LTや貼り合せ基板の厚さ制御
TFH向け段差及び膜厚制御
MEMS用形状補正
マグネトロンスパッタ装置 scia Magna 200
特長
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プロセス
マグネトロンスパッタ -
特徴
最大200mm径基板
回転式単体マグネトロン(最大径300mm)
共焦式4マグネトロン
ダブルリングマグネトロン(Fraunhofer FEP) -
アプリケーション
TC-SAW向け温度補償膜(SiO2)
AlN等圧電膜
光学用高・低屈折膜
絶縁膜(Si3N4, SiO2, Al2O3)
イオンビームスパッタ装置 scia Coat 200/500
特長
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プロセス
イオンビームスパッタリング(IBS)
デュアルイオンビームスパッタリング(DIBS)
イオンビームエッチング(IBE) -
特徴
最大200mmウエハ基板又は300mm x 500mm基板対応
最大5(220mm径)又は4(300mm径)ターゲット搭載
RFソース(120mm ~ 350mm)
リニアマイクロウエーブECRソース(2x 380mm長) -
アプリケーション
光学用(X線ミラー、バンドパス/ノッチフィルター、反射防止膜)
GMR, TMR及びスピンと炉にクス用マルチコーティング
積層型人工多層膜鏡(ゲーベルミラー)
マイクロウエーブPECVD/エッチング装置 scia Cube 300/450/750
特長
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プロセスマイクロウエーブPECVD
反応性イオンエッチング(RIE) -
特徴300 x 300mm, 450 x 450mm, 750 x 750mm基板対応
基板バイアス機構
基板冷却加熱機構(-10 ~ 850 ℃) -
アプリケーションPECVD: 絶縁膜(Si3N4, SiO2等)
光学用(a-C:H, DLC)
ナノクリスタルダイヤモンド、カーボンナノチューブ
RIE:反応性エッチング(Ni, Cr, Pt..)
光学用材料(クオーツ、フーズシリカ等)
提携企業一覧
